SK Hynix

О компании

История компании, стоящей за брендом SK Hynix, начинается в феврале 1983 года с создания Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. в Южной Корее. В том же году компания начала строительство предприятия в Ичхоне и приступила к развитию полупроводникового направления. В 1984 году она разработала первый в Южной Корее 16-килобитный SRAM, а в 1985 году начала массовое производство 64-килобитной DRAMDynamic Random-Access Memory (динамическая оперативная память) — разновидность полупроводниковой памяти, используемая для временного хранения данных и команд, с которыми работает вычислительная система. DRAM требует периодического обновления содержимого и применяется в оперативной памяти компьютеров, серверов и других устройств. и 256-килобитной DRAM. Эти разработки заложили основу специализации компании на полупроводниковой памяти.

В 1990-е годы Hyundai Electronics расширяла производство и ассортимент полупроводников. Компания выпускала DRAM различных поколений, SRAM и другие электронные компоненты, одновременно развивая международные продажи и производственную инфраструктуру. В 1999 году Hyundai Electronics объединилась с LG Semiconductor, что значительно расширило её позиции на рынке памяти. В 2001 году компания была переименована в Hynix Semiconductor Inc. Следующий этап связан с развитием мобильной памяти и NANDтехнология энергонезависимой флеш-памяти, используемая для хранения данных без постоянного подключения к источнику питания. NAND-чипы применяются в SSD-накопителях, смартфонах, картах памяти, USB-накопителях и других электронных устройствах. Flash. В 2003 году компания начала массовое производство 256-мегабитной SDRAM для мобильных устройств, а в 2004 году разработала 512-мегабитную NAND Flash. Одновременно расширялось применение продукции в компьютерах, мобильной электронике и других цифровых устройствах.

В 2012 году Hynix Semiconductor вошла в SK Group и 26 марта получила название SK Hynix. Вместе с новым названием компания представила новую корпоративную идентичность. С этого момента SK Hynix стала отдельным брендом, под которым компания продолжила развивать производство DRAM и NAND Flash, одновременно расширяя направления мобильной памяти, системных микросхем и других полупроводниковых решений.

Одним из важных направлений дальнейшего развития стала память с высокой пропускной способностью HBMHigh Bandwidth Memory (память с высокой пропускной способностью) — технология высокоскоростной памяти, в которой несколько слоёв микросхем объединяются в компактную структуру. HBM используется в ряде графических процессоров, ускорителей вычислений и систем искусственного интеллекта, где требуется высокая скорость обмена данными.. В 2013 году компания разработала первую в мире HBM на основе технологии TSV. В 2020 году SK Hynix представила HBM2E и первый в отрасли DDR5DDR5 — поколение оперативной памяти, обеспечивающее более высокую скорость передачи данных и энергоэффективность по сравнению с DDR4. DRAM, а в 2021 году разработала HBM3. В 2022 году компания начала массовое производство HBM3 и поставляла эту память для вычислительных систем Nvidia. Параллельно SK Hynix укрепляла направление NAND и твердотельных накопителей. В октябре 2020 года компания договорилась с Intel о приобретении NAND-бизнеса и подразделения SSDSolid-State Drive (твердотельный накопитель) — устройство хранения данных, использующее флеш-память и не имеющее механических движущихся частей. SSD обычно обеспечивает более высокую скорость доступа к данным и устойчивость к механическим воздействиям по сравнению с традиционными жёсткими дисками. за 9 млрд долларов. Сделка включала NAND SSD, производство NAND-компонентов и пластин, а также предприятие в Даляне в Китае. В декабре 2021 года была завершена первая часть сделки, а приобретённый SSD-бизнес получил отдельную американскую структуру Solidigm.

В 2022 году SK Hynix и Solidigm представили первый совместный продукт — корпоративный SSD P5530, объединив NAND-память SK Hynix с контроллером и программным обеспечением Solidigm. Приобретение позволило расширить присутствие SK Hynix в области корпоративных систем хранения данных и дополнить традиционную специализацию компании на памяти DRAM развитием NAND-решений и SSD.

В 2024–2025 годах компания сосредоточила значительную часть технологического развития на памяти для искусственного интеллекта. SK Hynix расширяла производство HBM3E, развивала DRAM нового поколения и увеличивала плотность NAND Flash. В 2024 году компания начала массовое производство 12-слойной HBM3E и представила 321-слойную NAND Flash. В 2025 году она объявила о завершении разработки HBM4 и подготовке к её массовому производству.

Под торговой маркой SK Hynix представлены:

• DRAM-память;
• HBM-память для высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта;
• NAND Flash;
• твердотельные накопители SSD;
• мобильная память;
• серверная память;
• память для персональных компьютеров;
• автомобильная память;
• модули памяти и решения на основе CXL;
• решения для центров обработки данных;
• специализированные решения памяти для систем искусственного интеллекта.

SK Hynix разрабатывает полупроводниковую память и решения для хранения данных в собственных исследовательских и инженерных подразделениях. Основные технологические направления включают DRAM, NAND Flash, HBM, SSD, упаковку полупроводников и решения для взаимодействия памяти с вычислительными системами. Компания также развивает технологии 3D-упаковки, включая TSV, применяемую при производстве HBM, и технологии Advanced MR-MUF для высокоскоростной памяти. Производственная модель включает собственные полупроводниковые предприятия и международную производственную сеть. Компания ведёт производство и разработку в Южной Корее и других странах, а после приобретения NAND-бизнеса Intel получила производственные активы в Даляне. В Южной Корее SK Hynix развивает предприятия в Ичхоне и Чхонджу, включая новые мощности для DRAM и HBM. Для производства передовых поколений памяти компания использует современные технологические процессы и специализированные методы упаковки. В 2024–2025 годах SK Hynix развивала 10-нм-класс DRAM шестого поколения, 321-слойную NAND Flash и HBM4. Для расширения выпуска памяти, используемой в системах искусственного интеллекта, компания также развивает производственную инфраструктуру и сотрудничество с технологическими партнёрами.

SK Hynix стала одним из крупнейших производителей полупроводниковой памяти благодаря длительной специализации на DRAM и последующему расширению в NAND Flash и SSD. Важным технологическим достижением компании стало раннее развитие HBM: первая HBM на основе TSV была разработана в 2013 году, HBM3 — в 2021 году, а массовое производство HBM3 началось в 2022 году. Эта технология впоследствии стала важной частью инфраструктуры высокопроизводительных систем искусственного интеллекта.

В 2025 году SK Hynix получила выручку 97,1467 трлн вон и операционную прибыль 47,2063 трлн вон. Рост показателей был связан в том числе с увеличением спроса на память для систем искусственного интеллекта и продукцию с высокой добавленной стоимостью, включая HBM. В марте 2025 года SK Hynix также сообщила об отправке заказчикам первых образцов 12-слойной HBM4. В 2026 году компания продолжила расширять линейку AIArtificial Intelligence (искусственный интеллект) — совокупность технологий и методов, позволяющих компьютерным системам выполнять задачи, связанные с анализом данных, распознаванием образов, обработкой языка, прогнозированием и принятием решений. Современные AI-системы могут использовать машинное обучение и генеративные модели.-памяти, включая HBM4, HBM4E, серверную DRAM, SOCAMM2 и высокоёмкие SSD.

На сегодняшний день SK Hynix является южнокорейской торговой маркой компании SK Hynix Inc., специализирующейся на производстве полупроводниковой памяти. Компания развивает направления DRAM, HBM, NAND Flash и SSD, а также решения для центров обработки данных, персональных компьютеров, мобильных устройств, автомобилей и систем искусственного интеллекта. В 2026 году SK Hynix осуществляет массовые поставки HBM4, развивает HBM4E и расширяет полный портфель памяти для AI-инфраструктуры, включая DRAM, NAND и корпоративные SSD.